Найдено 234 товара
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3100/2200 МБайт/с, случайный доступ: 150000/110000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3100/2200 МБайт/с, случайный доступ: 150000/110000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 95000/85000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 95000/85000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 94000/65000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 94000/65000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Maxio MAP1602, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6500 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Maxio MAP1602, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6500 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 12000/11000 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1400000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 12000/11000 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1400000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6600 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1100000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6600 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1100000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Realtek RTS5766DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/1800 МБайт/с, случайный доступ: 200000/150000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Realtek RTS5766DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/1800 МБайт/с, случайный доступ: 200000/150000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21T, микросхемы 3D TLC NAND, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21T, микросхемы 3D TLC NAND, SLC-кэш
3.84 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/2600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/112000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/2600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/112000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/2000 МБайт/с, случайный доступ: 980000/80000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/2000 МБайт/с, случайный доступ: 980000/80000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 МБайт/с, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 МБайт/с, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/6800 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1200000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/6800 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1200000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7200/6600 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7200/6600 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с
15.36 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/5600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/250000 IOps
15.36 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/5600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/250000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 13600/10200 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1750000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 13600/10200 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1750000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
7.68 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/300000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/300000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6800 МБайт/с, случайный доступ: 650000/700000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6800 МБайт/с, случайный доступ: 650000/700000 IOps, DRAM-буфер